โครงงานนี้เกี่ยวข้องกับการจำลองโครงสร้างจริงของอุปกรณ์โฟโตไดโอดชนิดควอนตัมดอทแบบ Lens shaped ของ In(x) Ga(1-x) As ฝังในสาร GaAs ที่อุณหภูมิ 4 K โดยใช้โปรแกรม nextnano3 ในการจำลองแบบจำลองอุปกรณ์ แล้วใช้โปรแกรม MATLAB 6.5 ในการสร้างภาพจำลองเพื่อแสดงผลในลำดับแรกจะจำลองและศึกษาคุณสมบัติเชิงอิเล็กทรอนิกส์ของ SiGe ที่ปลูกบน Si ใน 1มิติ จากนั้นจึงจำลองโครงสร้างของอุปกรณ์โฟโตไดโอดชนิดควอนตัมดอท ใน 3 มิติ ---------------------------------------------------------------------- Abstract : This project concerns with simulation, realistic electronic structure of Len shaped quantum dot photodiode.We focus on consists of a GaAs n-i structure with In(x) Ga(1-X) as quantum dots embedded within the intrinsic region at 4 Kelvin. The nextnano3 package is used to simulation the device. Then, we use the MATLAB package to plot and display the images.At first,we simulate and learn about electronic properties of SiGe growing on Si in one dimension.Then,we simulate the structure of three dimensional heterostructure quantum dot photodiode.