ในงานวิจัยนี้เป็นการเตรียมวัสดุเซรามิก LixAlyNi1-x-yO (LANO) เมื่อ x = 0.05, y = 0.02, 0.04, 0.06 และ 0.10 ด้วยวิธี thermal decomposition วัสดุผงที่ได้ถูกแคลไซน์ที่ 650¬ oC เป็นเวลา 10 ชั่วโมง เพื่อให้ได้วัสดุผง LANO จากนั้นทำการอัดเม็ดและเผาผนึกที่อุณหภูมิ 1250oC เป็นเวลา 2 ชั่วโมง ศึกษาพฤติกรรมการเกิดเฟสและโครงสร้างทางจุลภาคของวัสดุเซรามิก LANO ด้วยเทคนิค XRD และ SEM ตามลำดับ ได้ศึกษาสมบัติทางไดอิเล็กตริกในช่วงอุณหภูมิ -30 oC ถึง 200oC และในช่วงความถี่ 100 Hz ถึง 1 MHz พบว่าวัสดุเซรามิก LANO มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกที่สูงมาก r ~104 ที่อุณหภูมิห้องและความถี่ต่ำ อย่างไรก็ตามค่าคงที่ไดอิเล็กตริกมีการเปลี่ยนแปลงตามอุณหภูมิอย่างมาก พฤติกรรมทางไดอิเล็กตริกสามารถอธิบายได้โดยใช้แบบจำลองการมีโครงสร้างแบบตัวเก็บประจุแบบขวางกั้น (IBLC)