จากการสังเคราะห์ CIGS (Cu(In,Ga)0.5Se2) ด้วยวิธีทางสารละลายซึ่งมีวิธีการคือ เตรียมสารละลายของ Ga2(SO4)3, InCl3.nH2O, SeO2 และ CuCl2.2H2O (ใช้กรดและความร้อนช่วยในการละลาย Ga2(SO4)3) แล้วรีดิวซ์ไอออนทั้งหมดด้วยผงสังกะสี ที่อุณหภูมิที่กำหนด จากนั้นทำการวิเคราะห์สารที่ได้ด้วยเทคนิคการเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องผ่าน กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด พบว่า สภาวะที่เหมาะสมในการสังเคราะห์ CIGS คือใช้เอธิลีนไกลคอลเป็นตัวทำละลาย ผงสังกะสีขนาด 45 ไมโครเมตรและทำปฏิกิริยาที่ 60oC พบว่าได้ CIGS ที่มีความเป็นผลึกค่อนข้างสูง